BSZ100N06LS3G

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Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP

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规格书
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs	45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3500pF @ 30V
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Power - Max	50W
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 23µA
包装	8TSDSON EP
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	60 V
最大连续漏极电流	11 A
RDS -于	10@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	8 ns
典型上升时间	58 ns
典型关闭延迟时间	19 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
RoHS指令	RoHS Compliant Part

型号	厂家	产品描述
BSZ100N06LS3GATMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
BSZ100N06LS3 G	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH
BSZ100N03LS G	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 3 M-Series
BSZ100N03LSG	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP
BSZ100N03LSG	rochester electronics
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